Orasi Ilmiah Guru Besar Institut Teknologi Bandung: Komputasi Divais dan Material Elektronik untuk Pengembangan Divais dan Material Maju

Penulis: Prof. Fatimah Arofiati Noor
Reviewer: Prof. Khairurrijal

Penerbit: ITB Press

ISBN: 978-623-297-444-9
e-ISBN: 978-623-297-445-6 (PDF)

Sinopsis

Tulisan ini membahas tentang penggunaan metode komputasi divais dan material untuk menyelesaikan beberapa permasalahan fisis. Akibat perkembangan tekonologi dan ilmu pengetahuan, metode komputasi bekembang dengan pesat dan menjadi pendukung utama metode eksperimen dalam menyelesaikan permasalahan fisis. Pada bagian awal disampaikan pentingnya metode komputasi divais dan material. Di samping itu, bagaimana pendekatan komputasi divais dan material dalam menyelesaikan problem fisis juga dibahas.

Selanjutnya pembahasan difokuskan pada penggunaan komputasi divais untuk mengoptimasi kinerja MOSFET. Pembahasan ini diawali dengan menjelaskan konsep dasar MOSFET secara umum dan tantangan yang dihadapi dalam pengembangan teknologi MOSFET baik itu dalam hal kecepatan kinerja ataupun penskalaan. Tantangan terbesar yang muncul adalah adanya kebocoran arus akibat proses penskalaan yang sudah mencapai batas maksimum. Oleh sebab itu, perlu dilakukan rekayasa struktur divais baik itu dalam hal pencarian material baru maupun optimasi parameter kinerja. Untuk memahami pengaruh optimasi tersebut, kami mengembangkan perumusan analitik yang sederhana dan efisien dalam memodelkan transmitansi elektron serta arus terobosan. Hingga akhirnya, kami juga mengulas pengembangan model analitik untuk mempelajari karakteristik unik dari cylindrical surrounding-gate (SG) MOSFET yang merupakan kandidat FET masa depan.

Berikutnya, aplikasi dari komputasi material untuk mempelajari mekanisme penumbuhan grafena dipaparkan secara detail. Paparan ini diawali dengan penguraian beberapa permasalahan dalam proses penumbuhan grafena pada katalis paduan berbasis Cu dan peran yang dapat diambil oleh komputasi material berbasi DFT dalam menyelesaikan permasalah tersebut. Selanjutnya, dipaparkan hasil penelitian studi komputasi pengaruh jenis atom pemadu dan konsentrasi atom paduan terhadap mekanisme penumbuhan grafena. Kedua parameter tersebut ternyata sangat berpengaruh dalam mengendalikan mekanisme penumbuhan. Pada bagian akhir dituliskan riset lanjutan yang akan dikembangkan berkaitan dengan metode komputasi material dan divais elektronik.

Untuk akses e-book kunjungi link berikut:

• https://www.itbpress.id/orasi-ilmiah/

Untuk pemesanan hubungi nomor:

• (022) 2512532 (FGB ITB)
• +62-877-8806-6848 (WhatsApp ITBPress)